Fotó csak hivatkozás esetén További képekért forduljon hozzánk
2SK879-GR(TE85L,F)
| EXSHINE Cikkszám: | EX-2SK879-GR(TE85L,F) |
|---|---|
| Gyártó Cikkszám: | 2SK879-GR(TE85L,F) |
| Gyártó / Márka: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Rövid leírás: | JFET N-CH 0.1W USM |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Ólommentes / RoHS megfelelő |
| Feltétel: | New and unused, Original |
| Adatlap letöltése: | 2SK879 |
| Alkalmazás: | - |
| Súly: | - |
| Alternatív csere: | - |
Raktáron: 49582000 db szállíthatók 1-2 napon belül.
Jövőbeli készlet: 12000 db 7-10 napon belül.
Gyártó átfutási idő: 8-10 hét
- Leírás
- Fizetés
- Szállítás
- Csomagolás
Termékparaméter
| Feszültség - lekapcsolás (VGS ki) @ Id | 400mV @ 100nA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag | USM |
| Sorozat | - |
| Ellenállás - RDS (On) | - |
| Teljesítmény - Max | 100mW |
| Csomagolás | Cut Tape (CT) |
| Csomagolás / tok | SC-70, SOT-323 |
| Más nevek | 2SK879-GR(TE85LF)CT |
| Üzemi hőmérséklet | 125°C (TJ) |
| Szerelési típus | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám | 2SK879-GR(TE85L,F) |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
| FET típus | N-Channel |
| Bővített leírás | JFET N-Channel 2.6mA @ 10V 100mW Surface Mount USM |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss) | - |
| Leírás | JFET N-CH 0.1W USM |
| Áram - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 2.6mA @ 10V |
Egyéb
| Standard csomag | 1 |
|---|---|
| Más nevek | 2SK879-GR(TE85LF)CT |
|
|
T / T (banki átutalás) Fogadás: 1-4 nap. |
|
|
Paypal Fogadás: azonnal. |
|
|
nyugati Únió Fogadás: 1-2 óra. |
|
|
Money Gram Fogadás: 1-2 óra. |
|
|
Alipay Fogadás: azonnal. |
 |
DHL EXPRESS Szállítási idő: 1-3 nap. |
 |
FEDEX EXPRESS Szállítási idő: 1-3 nap. |
 |
UPS EXPRESS Szállítási idő: 2-4 nap. |
 |
TNT EXPRESS Szállítási idő: 3-6 nap. |
 |
EMS EXPRESS Szállítási idő: 7-10 nap. |
Kapcsolódó termék
-
KépMfg rész számaGyártókRövid leírásAdatlapRaktáronElem árOnline rendelés -
2SK879-O(TE85RF)TOSHIBANew Stocks 2SK879-O(TE85RF) TOSHIBA SMD or Through HoleKilátásVizsgálat -
2SK879-GTOSHIBANew Stocks 2SK879-G TOSHIBA SOT-323KilátásVizsgálat -
2SK879TOSHIBASilicon N Channel Junction Type General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone AppKilátásVizsgálat -
2SK873PANASONI2SK873 PANASONI TO-3P New in stockKilátásVizsgálat -
2SK874NEC2SK874 NEC TO-247 New in stockKilátásVizsgálat -
2SK879-YTOSHIBA2SK879-Y TOSHIBA SOT-323 New in stockKilátásVizsgálat -
2SK879-Y(TE85LTOSHIBANew Stocks 2SK879-Y(TE85L TOSHIBA SOT-323KilátásVizsgálat -
2SK878-1.2SONYNew Stocks 2SK878-1.2 SONY SMD or Through HoleKilátásVizsgálat -
2SK879-GR(TE85R)TOSHIBA2SK879-GR(TE85R) TOSHIBA SMD or Through Hole New in stockKilátásVizsgálat -
2SK879-OTOS2SK879-O TOS SOT-32.. New Original StocksKilátásVizsgálat -
2SK875NECNew Stocks 2SK875 NEC TO-3PKilátásVizsgálat -
2SK879-GRTOSHIBA2SK879-GR TOSHIBA SOT-32.. New Original StocksKilátásVizsgálat -
2SK879-Y / JYTOSHIBA2SK879-Y / JY TOSHIBA SOT-323 New in stockKilátásVizsgálat -
2SK879-0 (TE85R,F)TOSHIBA2SK879-0 (TE85R,F) TOSHIBA SMD or Through Hole New in stockKilátásVizsgálat -
2SK879-RTOSHIBA2SK879-R TOSHIBA 3000 New in stockKilátásVizsgálat -
2SK879-O pbTOSHIBANew Stocks 2SK879-O pb TOSHIBA SOT143KilátásVizsgálat -
2SK876PANASONI2SK876 PANASONI TO-3P New in stockKilátásVizsgálat -
2SK879-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageJFET N-CH 0.1W USMLetöltésKilátásVizsgálat -
2SK879-Y TEL:82766440TOSHIBA2SK879-Y TEL:82766440 TOSHIBA SOT-323 New in stockKilátásVizsgálat -
2SK878-1.1SNYNew Stocks 2SK878-1.1 SNY N AKilátásVizsgálat
Az Toshiba Semiconductor and Storage forgalmazója
- A Touchstone Semiconductor Inc. olyan nagy teljesítményű analóg integrált áramköröket (IC) kínál, amelyek az elektronikai vállalatok számára kritikus problémákat oldanak meg. Saját tulajdonú termékeink egyedülállóan olyan funkciókat és teljesítményt kínálnak, amelyek az analóg piacon máshol nem találhatók. Más forrásból származó termékeink a pin-kompatibilisek és a versenyképes ajánlatokkal azonosak, ami ideális alternatíva a nehezen biztonságos, egyedülálló termékekhez. A 2010-ben alapított Touchstone székhelye Milpitasban, Kaliforniában. A befektetők közé tartozik az Opus Capital és a Khosla Ventures.
A Touchstone Semiconductor küldetése hűvös, nagy teljesítményű analóg IC-ket tervez, amelyek segítenek megoldani ügyfelei problémáit. Ezt olyan ultranagy teljesítményű nagy teljesítményű analóg IC-k fejlesztésével végezzük, amelyek csökkentik az Ön termékei energiafogyasztását.